EEPROM vs NOR Flash vs FRAM：非揮發記憶體怎麼選（用對類型，別追名詞）
非揮發記憶體選錯不是「能不能用」，而是貴了、慢了、或寫壞了。本文用抹除粒度／讀取方式／寫入耐久／密度成本四個軸，講清 EEPROM（逐位元組、存設定）、NOR Flash（XIP、存程式）、NAND（大容量）、FRAM（近乎無限耐久但小又貴）的差別，並對應 FMD FT24C、GigaDevice GD25Q / GD5F。
四種非揮發記憶體，差在四個軸
非揮發記憶體（斷電不丟資料）常見有四種：EEPROM、NOR Flash、NAND Flash、FRAM。選錯不是「能不能用」，而是「貴了、慢了、或寫壞了」。差別主要看四個軸：抹除粒度（能不能逐位元組改，還是要整塊抹）、讀取方式（能不能隨機讀、就地執行程式）、寫入耐久與速度、以及密度與成本。先用這四個軸把需求想清楚——大多數設計其實就是「存一點設定」加「存程式碼」兩件事——再對應料號就不會選錯。
EEPROM：逐位元組改的小設定
EEPROM 的特點是「逐位元組可讀可寫」：你可以只改其中一個位元組，不必抹除整塊，適合常常小量更新的設定值、校正參數、序號、少量紀錄。耐久典型約每位元組 100 萬次寫入、資料保存約 100 年，寫入是自計時的（一頁約數毫秒），介面有 I²C 與 SPI 兩種。容量偏小（數 Kbit 到 1Mbit 級）。以 JLink 目錄為例：FMD 的 FT24C 系列就是 I²C 的 24Cxx EEPROM（2Kb~1Mb、Vcc 1.8~5.5V），SPI 介面則有 FT25C 系列。簡單記：EEPROM 存「設定」。
NOR vs NAND Flash：程式碼 vs 大量資料
同樣叫 Flash，NOR 與 NAND 用途相反。NOR Flash 能「隨機讀、逐位元組讀」，所以可以「就地執行（XIP）」程式——拿來放韌體、開機碼最合適；但它寫入前要先「整個磁區（如 4KB）/區塊抹除」，耐久約每磁區 10 萬次、容量中等（Mb 到數百 Mb 級），GigaDevice 的 GD25Q 就是 SPI NOR（單/雙/四線 SPI、各種容量）。NAND Flash 則是「頁讀、頁寫、區塊抹除」，密度最高（Gb 級以上）、每位元最便宜，但一定要搭 ECC 與壞塊管理，適合存大量資料、影像、日誌、檔案系統，GigaDevice 的 GD5F 就是 SPI NAND（內建 on-die ECC）。一句話：NOR 存「會被執行的程式」，NAND 存「大量資料/檔案」。
⚠️ FRAM：近乎無限耐久，但小又貴
FRAM（鐵電記憶體）是個特別的存在：它像 RAM 一樣可以逐位元組高速寫入、不需抹除、寫入又快又省電，而且耐久近乎無限（典型約 10¹⁴ 次，等於比 EEPROM 多上億倍的寫入次數）。聽起來完美，為什麼不全用它？因為它密度低、單位成本高——目前 serial FRAM 旗艦級約到 16Mbit，遠小於 NOR 的數百 Mb、NAND 的 Gb 級，而且每位元貴很多。所以 FRAM 的舞台是「需要極高頻寫入、又要斷電保存、還要省電/低延遲」的場合：資料記錄器、智慧電表、計數器、黑盒子。誠實提醒：FRAM 屬於另一類記憶體、另一條供應鏈（常見來源如 Infineon/Cypress、Fujitsu）；JLink 目錄能直接供貨的是設定用的 FT24C/FT25C 與程式用的 GD25Q，若你的應用真的需要 FRAM 等級的耐久，我們可協助評估方向。
怎麼選
怎麼選，一句一種：要常常逐位元組改的小東西（設定、校正、序號）→ EEPROM（FMD FT24C / FT25C），便宜、好接、耐久夠。要存會被執行的程式/韌體、需要快速隨機讀或 XIP → NOR Flash（GigaDevice GD25Q）。要存大量資料/檔案、追求每位元最低成本 → NAND Flash（GigaDevice GD5F，記得 ECC + 壞塊管理）。寫入頻率極高又要斷電不丟、要省電低延遲 → FRAM（密度小、單價高，屬另一供應鏈）。判斷口訣：抹除粒度（byte→EEPROM、sector→NOR、block→NAND）× 要不要 XIP（要→NOR）× 寫入頻率與耐久（極高→FRAM）× 容量與成本（大容量→NAND）。傑聯特科技是 FMD 與 GigaDevice 授權代理商，EEPROM（FT24C/FT25C）、SPI NOR（GD25Q）、SPI NAND（GD5F）全系列供應；歡迎提供你的容量、介面、寫入頻率與耐久需求，我們協助選型並回覆樣品、規格書與報價。
文中提及的產品
FT24C 系列 I²C EEPROM（2K ~ 256K bit）
FT24C 系列為標準 I²C 介面串列 EEPROM，容量涵蓋 2K 至 256K bit（FT24C02 ~ FT24C256），相容業界通用腳位，寬工作電壓 1.8V ~ 5.5V，廣泛用於設定參數、校正資料與序號儲存。
GD25Q128 128Mbit SPI NOR Flash
GD25Q128 是 128Mbit（16MB）串列 SPI NOR Flash，2.7~3.6V 供電、最高時脈 133MHz，支援 Dual/Quad I/O，4KB 磁區與 32/64KB 區塊抹除、256-byte 頁編程。封裝 SOP8 / WSON8，採標準 JEDEC 腳位與指令集，是 Winbond W25Q128 的常見第二供應商。
GD5F1GQ5 1Gbit SPI NAND Flash
GD5F1GQ5 是 GigaDevice 1Gbit SPI NAND Flash，2KB 頁、128KB 區塊（64 頁），支援 x1/x2/x4（Quad）SPI。系列分為內建 ECC 版（UE，2.7~3.6V、最高 133MHz）與無 ECC 版（RE，1.7~2.0V、104MHz），WSON8 封裝，適合 MCU/SoC 的程式與資料儲存。