EEPROM vs NOR Flash vs FRAM：非易失性存储器怎么选（用对类型，别追名词）
非易失性存储器选错不是「能不能用」，而是贵了、慢了、或写坏了。本文用擦除粒度／读取方式／写入耐久／密度成本四个轴，讲清 EEPROM（逐字节、存设定）、NOR Flash（XIP、存程序）、NAND（大容量）、FRAM（近乎无限耐久但小又贵）的差别，并对应 FMD FT24C、GigaDevice GD25Q / GD5F。
四种非易失性存储器，差在四个轴
非易失性存储器（断电不丢数据）常见有四种：EEPROM、NOR Flash、NAND Flash、FRAM。选错不是「能不能用」，而是「贵了、慢了、或写坏了」。差别主要看四个轴：擦除粒度（能不能逐字节改，还是要整块擦）、读取方式（能不能随机读、就地执行程序）、写入耐久与速度、以及密度与成本。先用这四个轴把需求想清楚——大多数设计其实就是「存一点设定」加「存程序码」两件事——再对应料号就不会选错。
EEPROM：逐字节改的小设定
EEPROM 的特点是「逐字节可读可写」：你可以只改其中一个字节，不必擦除整块，适合常常小量更新的设定值、校正参数、序号、少量记录。耐久典型约每字节 100 万次写入、数据保存约 100 年，写入是自计时的（一页约数毫秒），接口有 I²C 与 SPI 两种。容量偏小（数 Kbit 到 1Mbit 级）。以 JLink 目录为例：FMD 的 FT24C 系列就是 I²C 的 24Cxx EEPROM（2Kb~1Mb、Vcc 1.8~5.5V），SPI 接口则有 FT25C 系列。简单记：EEPROM 存「设定」。
NOR vs NAND Flash：程序码 vs 大量数据
同样叫 Flash，NOR 与 NAND 用途相反。NOR Flash 能「随机读、逐字节读」，所以可以「就地执行（XIP）」程序——拿来放固件、开机码最合适；但它写入前要先「整个扇区（如 4KB）/区块擦除」，耐久约每扇区 10 万次、容量中等（Mb 到数百 Mb 级），GigaDevice 的 GD25Q 就是 SPI NOR（单/双/四线 SPI、各种容量）。NAND Flash 则是「页读、页写、区块擦除」，密度最高（Gb 级以上）、每位元最便宜，但一定要搭 ECC 与坏块管理，适合存大量数据、影像、日志、文件系统，GigaDevice 的 GD5F 就是 SPI NAND（内建 on-die ECC）。一句话：NOR 存「会被执行的程序」，NAND 存「大量数据/文件」。
⚠️ FRAM：近乎无限耐久，但小又贵
FRAM（铁电存储器）是个特别的存在：它像 RAM 一样可以逐字节高速写入、不需擦除、写入又快又省电，而且耐久近乎无限（典型约 10¹⁴ 次，等于比 EEPROM 多上亿倍的写入次数）。听起来完美，为什么不全用它？因为它密度低、单位成本高——目前 serial FRAM 旗舰级约到 16Mbit，远小于 NOR 的数百 Mb、NAND 的 Gb 级，而且每位元贵很多。所以 FRAM 的舞台是「需要极高频写入、又要断电保存、还要省电/低延迟」的场合：数据记录器、智能电表、计数器、黑盒子。诚实提醒：FRAM 属于另一类存储器、另一条供应链（常见来源如 Infineon/Cypress、Fujitsu）；JLink 目录能直接供货的是设定用的 FT24C/FT25C 与程序用的 GD25Q，若你的应用真的需要 FRAM 等级的耐久，我们可协助评估方向。
怎么选
怎么选，一句一种：要常常逐字节改的小东西（设定、校正、序号）→ EEPROM（FMD FT24C / FT25C），便宜、好接、耐久够。要存会被执行的程序/固件、需要快速随机读或 XIP → NOR Flash（GigaDevice GD25Q）。要存大量数据/文件、追求每位元最低成本 → NAND Flash（GigaDevice GD5F，记得 ECC + 坏块管理）。写入频率极高又要断电不丢、要省电低延迟 → FRAM（密度小、单价高，属另一供应链）。判断口诀：擦除粒度（byte→EEPROM、sector→NOR、block→NAND）× 要不要 XIP（要→NOR）× 写入频率与耐久（极高→FRAM）× 容量与成本（大容量→NAND）。傑聯特科技是 FMD 与 GigaDevice 授权代理商，EEPROM（FT24C/FT25C）、SPI NOR（GD25Q）、SPI NAND（GD5F）全系列供应；欢迎提供你的容量、接口、写入频率与耐久需求，我们协助选型并回复样品、规格书与报价。
文中提及的产品
FT24C 系列 I²C EEPROM（2K ~ 256K bit）
FT24C 系列为标准 I²C 接口串行 EEPROM，容量涵盖 2K 至 256K bit（FT24C02 ~ FT24C256），兼容业界通用引脚，宽工作电压 1.8V ~ 5.5V，广泛用于设定参数、校正数据与序号存储。
GD25Q128 128Mbit SPI NOR Flash
GD25Q128 是 128Mbit（16MB）串行 SPI NOR Flash，2.7~3.6V 供电、最高时钟 133MHz，支持 Dual/Quad I/O，4KB 扇区与 32/64KB 块擦除、256-byte 页编程。封装 SOP8 / WSON8，采标准 JEDEC 引脚与指令集，是 Winbond W25Q128 的常见第二供应商。
GD5F1GQ5 1Gbit SPI NAND Flash
GD5F1GQ5 是 GigaDevice 1Gbit SPI NAND Flash，2KB 页、128KB 块（64 页），支持 x1/x2/x4（Quad）SPI。系列分为内建 ECC 版（UE，2.7~3.6V、最高 133MHz）与无 ECC 版（RE，1.7~2.0V、104MHz），WSON8 封装，适合 MCU/SoC 的程序与数据存储。